Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
SI5857DU-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET
SI5858DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5903DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
SI5915BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8
SI5915DC-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI5933CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5855CDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
Si5855CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5855CDC-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI5855DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC_04 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5856DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode